大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家(菲律宾国土面积有多大，菲律宾国土面积有多少平方公里jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、菲律宾国土面积有多大，菲律宾国土面积有多少平方公里1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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