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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhà酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人o)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人p>

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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