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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查(chá我们生在红旗下谁写的 我们生在红旗下完整句子)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(我们生在红旗下谁写的 我们生在红旗下完整句子shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良我们生在红旗下谁写的 我们生在红旗下完整句子好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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