大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称随性是什么意思，女人随性是什么意思，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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