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　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全(quá5k是多少钱，5k是多少钱人民币n)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(5k是多少钱，5k是多少钱人民币zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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