大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(j文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求iāng)存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求ong>存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。