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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推蘑菇头比较大做起来，女不怕粗短就怕蘑菇头(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zh蘑菇头比较大做起来，女不怕粗短就怕蘑菇头ě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海蘑菇头比较大做起来，女不怕粗短就怕蘑菇头（清洗）等收入增长。

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