大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公地肖指哪几个生肖？室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Z地肖指哪几个生肖？nm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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