大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审书名号之间有没有标点符号，书名号之间有标点符号么查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全(quá书名号之间有没有标点符号，书名号之间有标点符号么n)，是(shì)维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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