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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查一呼百应吾独尊是什么意思生肖，一呼百应吾独尊代表什么生肖(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照一呼百应吾独尊是什么意思生肖，一呼百应吾独尊代表什么生肖(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公一呼百应吾独尊是什么意思生肖，一呼百应吾独尊代表什么生肖司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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