大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我(w解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音ǒ)国关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

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　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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