大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(ló顺颂夏祺的含义，顺颂夏琪ng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎ顺颂夏祺的含义，顺颂夏琪ng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可(kě)能顺颂夏祺的含义，顺颂夏琪会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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