大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息肖姓出过哪些名人名字，肖姓出过哪些名人呢(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)肖姓出过哪些名人名字，肖姓出过哪些名人呢家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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