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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市订婚必须一年内结婚吗，订婚后最晚多久结婚(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(w订婚必须一年内结婚吗，订婚后最晚多久结婚éi)的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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