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鱼目混珠这个故事,鱼目混珠的典故

鱼目混珠这个故事,鱼目混珠的典故 半导体突发!中国出手:停止采购!

鱼目混珠这个故事,鱼目混珠的典故

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

  据网信(xìn)办消(xiāo)息,日前,网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规,我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查,目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全,是维护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放,只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求,欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全,防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险,维护(hù)国家安(ān)全(quán),依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数鱼目混珠这个故事,鱼目混珠的典故据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经不(bù)是主要大供应商。

  公告显(xiǎn)示(shì), 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约,确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势,公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分(fēn)析,如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制,或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽,催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单,设备国产化进程加速,看好拓(tuò)荆科技(jì)(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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