大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％柿饼有酒味还能不能吃了，柿饼有酒味还能不能吃了呢。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客柿饼有酒味还能不能吃了，柿饼有酒味还能不能吃了呢户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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