大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维(wabo文是什么意思 abo文是谁发明的éi)护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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