大家好，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少(中考的报名号指什么意思，中考的报名号是什么意思shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比中考的报名号指什么意思，中考的报名号是什么意思(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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