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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2尿布疹一般几天痊愈，宝宝尿布疹用什么药膏好得快022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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