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rx550相当于什么显卡,rx580相当于什么显卡 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发(fā)消息。

  美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消息,日(rì)前,网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此(cǐ),网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全,是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放(fàng),只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn),维护国家安(ān)全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一,2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

  美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降,至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

  公告(gào)显示(shì), 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约,确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性,巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美光(guāng)在中国区销rx550相当于什么显卡,rx580相当于什么显卡(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽,催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单,设备国(guó)产化(huà)进程加速,看好拓荆(jīng)科(kē)技(薄(báo)膜沉积)等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升,以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入(rù)增长。

 

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