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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huā一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗n)迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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