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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网不朽的意思络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元不朽的意思，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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