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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市场(复刻版是正品吗，复刻是不是假货的意思chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）复刻版是正品吗，复刻是不是假货的意思统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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