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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是萍乡市是哪个省，萍乡市是哪个省的城市防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链(lià萍乡市是哪个省，萍乡市是哪个省的城市n)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Y萍乡市是哪个省，萍乡市是哪个省的城市nm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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