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法西斯国家有哪几个

法西斯国家有哪几个 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(s法西斯国家有哪几个ī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

  审查发(fā)现,美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规,我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

  此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求,欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全,防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全(quán),依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法》,网络安全(quán)审查办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头,也是(shì)全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī),2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约,确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī),如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制,或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60:1的(de)深(shēn)孔(kǒng),未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露(lù),薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单,设备国(guó)产化进程(chéng)加速(sù),看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(薄膜(mó)沉(chén)积)等相(xiāng)关公司份额提升,以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入(rù)增(zēng)长。

 

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