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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息50倍防晒霜能防晒多久，50倍防晒霜能防晒多久时间(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、50倍防晒霜能防晒多久，50倍防晒霜能防晒多久时间1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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