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反射弧包括哪五个部分,反射弧包括哪五个部分顺序

反射弧包括哪五个部分,反射弧包括哪五个部分顺序 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

  据(jù)网信办消息(xī),日前,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐患,对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

  此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查,目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安全,是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放(fàng),只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全,防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险,维护国家(jiā)安全(quán),依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头,也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一反射弧包括哪五个部分,反射弧包括哪五个部分顺序,2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据(j反射弧包括哪五个部分,反射弧包括哪五个部分顺序ù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

  美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng),至少已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约,确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng),巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo),催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单,设备国产化(huà)进程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng),以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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