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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(h三角形的边长公式小学，等边三角形的边长公式ù)国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售三角形的边长公式小学，等边三角形的边长公式受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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