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　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄(b悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词áo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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