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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎ每走一步就会深深的撞一下，抱着走一下就撞一下n)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约1每走一步就会深深的撞一下，抱着走一下就撞一下1％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(每走一步就会深深的撞一下，抱着走一下就撞一下zhì)名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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