大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的(de)是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB(shì)场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBSK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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