大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全网络上说的310什么意思，网络上说的310什么意思啊问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)网络上说的310什么意思，网络上说的310什么意思啊的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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