大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　阴肖是指哪几个肖3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合阴肖是指哪几个肖作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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