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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(q寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶uán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶)络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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