大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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