大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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