大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōn100块钱值多少美元，100美元是几百元钱olor: #ff0000; line-height: 24px;'>100块钱值多少美元，100美元是几百元钱g)司产品进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防100块钱值多少美元，100美元是几百元钱范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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