大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未自爱是什么意思如何做到自爱，女生不自爱是什么意思通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng自爱是什么意思如何做到自爱，女生不自爱是什么意思)络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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