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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙(l强迫症会把人折磨死吗，强迫症的大脑到底出什么问题óng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nè强迫症会把人折磨死吗，强迫症的大脑到底出什么问题i)外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēn强迫症会把人折磨死吗，强迫症的大脑到底出什么问题g)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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