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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波吴亦凡资产多少亿龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储吴亦凡资产多少亿、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓吴亦凡资产多少亿(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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