大家好，来看一(yī)则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gō古诗山衔落日浸寒漪，山衔落日浸寒漪的诗意是什么ng)司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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