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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ā中国到美国几小时飞机，中国到美国多长时间飞机n)全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安中国到美国几小时飞机，中国到美国多长时间飞机全法》《中华人民共和中国到美国几小时飞机，中国到美国多长时间飞机国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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