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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过三公分是多少厘米 三公分是多少毫米(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(d三公分是多少厘米 三公分是多少毫米uì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(g三公分是多少厘米 三公分是多少毫米uāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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