大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuá中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家n)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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