大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国arctan0等于多少派，arctan0等于多少兀怎么算家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电arctan0等于多少派，arctan0等于多少兀怎么算子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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