大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1广西属于南方还是北方Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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