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　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产科兴是美国的还是中国的品进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàn科兴是美国的还是中国的g)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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