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闯关东三个儿子的结局,闯关东三个媳妇的结局

闯关东三个儿子的结局,闯关东三个媳妇的结局 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息。

  美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日前(qián),网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查,目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全,是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规(guī)要求,欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán),防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险,维(wéi)护国家安全,依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī),2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市场(ch闯关东三个儿子的结局,闯关东三个媳妇的结局ǎ闯关东三个儿子的结局,闯关东三个媳妇的结局ng)份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

  美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì),江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约,确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市(shì)闯关东三个儿子的结局,闯关东三个媳妇的结局场的供应优势,公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有券(quàn)商此(cǐ)前就分析,如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制,或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì),国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露,薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单,设(shè)备国产化(huà)进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额提升,以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入(rù)增(zēng)长。

 

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