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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jī火车站同站换乘30分钟够吗 同站换乘麻烦吗ng)在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)火车站同站换乘30分钟够吗 同站换乘麻烦吗供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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