大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光公(gōng)司在华良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物)至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、S良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物olidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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